作者：乙成徒 来源：原创 发布日期：08-26
一 | 当地时间8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项。
SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。
二 | 三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。 北京8月13日电（记者 韩鹏飞）8月13日，国务院新闻办公室举行“开局起步‘十五五’”系列主题新闻发布会，介绍全面推进美丽中国建设有关情况。
三 | 会上，生态环境部副部长徐必久介绍，当前，我国大气污染治理成效不充分、不稳固、不平衡的问题依然突出，空气质量改善仍然处于从“明显改善”向“全面改善”过渡的关键期，产业、能源、交通运输结构绿色低碳转型压力依然较大，持续改善空气质量依然任重道远。
四 | 目前，正在抓紧制定新一轮空气质量持续改善行动方案，也是第四个“大气十条”，将重点从“更高、更准、更科学”上下功夫。 更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。
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该机构称，每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。 标准要求更高。
六 | SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。以PM2.5治理为主线，以新修订的《环境空气质量标准》为引领，按照《美丽中国建设“十五五”规划》提出的空气质量改善目标，收严PM2.5浓度限值，并同步加严PM10、二氧化硫、氮氧化物等其他污染物浓度限值，推动空气质量从明显好转迈上好上加好、好而持久。 受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。
七 | 分区施策更准。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。主要抓三大区域，对于京津冀及周边、长三角和汾渭平原等三大重点区域，坚持方向不变、力度不减，将长江中游城市群、川渝地区、新疆“乌-昌-石”区域作为强化区域，对标重点区域进行全面治理，将粤港澳大湾区、福建、海南作为先行区域，对标世界一流水平，探索低浓度条件下的改善路径。 钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。
八 | 300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。
九 | 通过分区分类、梯次推进，实现空气质量全域提升。 路径措施更科学。 375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。坚持结构转型和污染减排“两手抓”，持续推动产业、能源、交通运输结构优化调整，加强重点行业、领域、环节治理减排，谋划开展一批重点行动、实施一批重大工程，比如清洁运输行动、大气环境绩效等级提升行动、重点行业超低排放改造工程、VOCs综合治理工程，推动污染物排放持续下降。同时，将加强支撑保障，制修订相关污染物排放标准，创新财税、价格、金融、环保等差异化管理政策，加快推进智慧化监测和非现场执法“两场变革”，提升精细、高效、智慧监管水平，推动空气质量持续改善，用更多蓝天白云惠及广大人民群众。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。 中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。 然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。 基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。版权申明：凡注有“”或电头为“”的稿件，均为独家版权所有，未经许可不得转载或镜像；授权转载必须注明来源为“”，并保留“”的电头。 。 爱建证券表示，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。其中—— 沉积：成熟的WF钨工艺，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级； 输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送； CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求； 清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入； 刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求； 量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。 该机构称，NAND工艺迭代核心从单纯堆叠层数转向材料—设备—工艺协同创新，新材料导入将持续催生沉积、刻蚀、清洗等关键设备迭代升级，Mo字线导入将推动沉积、刻蚀、清洗等关键环节工艺升级，相关设备及零部件厂商有望受益。
（文章来源：科创板日报）。
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Published on:00:23:06